<題組題>[題組:第24-26題]
◎在半導體製程中需要有曝光機(光源),將光罩上的線路圖形縮小投影成像到晶圓上。已知常用的光源波長有紫外光(UV)436nm、365nm,深紫外光(DUV)248nm、193nm及極紫外光(EUV)13.5nm。某半導體公司在研發半導體製程中,曾在晶圓與光源間注入純水,利用波長193nm曝光機在晶圓上製得比使用乾式157nm曝光機更小的線路線寬。
光在單位面積單位時間內通過的能量值稱為光的強度。光在水中傳播時,其強度I會隨傳播距離z的增加而衰減,關係式為 \( I = I_0 e^{-\alpha z} \),其中α為衰減係數、\( I_0 \)為起始強度、e為自然常數(近似值2.7,其倒數 \( e^{-1} \approx 0.37 \))。圖10是水的吸收光譜,橫軸為光源的原始波長,縱軸為光在水中的衰減係數。圖10中橫軸與縱軸為對數坐標,坐標軸上刻度的位置是由坐標軸刻度數值取以10為底的對數值而決定。
當在晶圓與光源間注入純水,下列有關光物理量改變的敘述,哪些正確?(多選)(5分)
(A)波長變短 (B)能量增大 (C)頻率增大
(D)強度增大 (E)傳遞速率變慢
答案



