[題組:第21-23題]
◎圖8為等電位線與電場實驗裝置圖，包含電場形成裝置：由碳板、金屬電極、導線與直流電源等連接而成，以及測量工具：金屬探針 \( P1 \)、\( P2 \) 與儀表 \( M \)。兩金屬電極的大小不
可計，兩金屬電極與碳板的接觸點分別位於 \( X \) 軸上的 \( A \)、\( B \) 兩點，其與坐標原點 \( O \) 的距離為 \( a \)。某生使用圖8的實驗裝置來測量碳板上任兩點間是否有電位差，畫出等電位線，並畫出電力線，如圖9所示。
(a) 就兩支金屬探針的安排、選取實驗儀表 \( M \) 的名稱及該儀表 \( M \) 的讀值，說明如何得到一條等電位線。（3分）
(b)圖9中有實線與虛線兩組曲線，哪一組是等電位線？並說明判斷理由。（2分）
[題組:第21-23題]
有關圖9中所測量到的等電位線與對應的電力線，下列敘述哪些正確？（多選）（5分）
(A)需先測量得到等電位線，之後才畫出電力線
(B)假設上的電流流向為沿著所測到的等電位線進行
(C)電力線不一定通過A、B兩點
(D)若設原點O的電位為零，則理論上Y軸上任一點(0,y)的電位均為零
(E)在其他裝置不變下，可將本實驗中的假板更換為金屬導體
[題組:第24-26題]
◎在半導體製程中需要有曝光機（光源），將光罩上的線路圖形縮小投影成像到晶圓上。已知常用的光源波長有紫外光（UV）436nm、365nm，深紫外光（DUV）248nm、193nm及極紫外光（EUV）13.5nm。某半導體公司在研發半導體製程中，曾在晶圓與光源間注入純水，利用波長193nm曝光機在晶圓上製得比使用乾式157nm曝光機更小的線路線寬。
光在單位面積單位時間內通過的能量值稱為光的強度。光在水中傳播時，其強度I會隨傳播距離z的增加而衰減，關係式為 \( I = I_0 e^{-\alpha z} \)，其中α為衰減係數、\( I_0 \)為起始強度、e為自然常數（近似值2.7，其倒數 \( e^{-1} \approx 0.37 \)）。圖10是水的吸收光譜，橫軸為光源的原始波長，縱軸為光在水中的衰減係數。圖10中橫軸與縱軸為對數坐標，坐標軸上刻度的位置是由坐標軸刻度數值取以10為底的對數值而決定。
當在晶圓與光源間注入純水，下列有關光物理量改變的敘述，哪些正確？（多選）（5分）
(A)波長變短 (B)能量增大 (C)頻率增大
(D)強度增大 (E)傳遞速率變慢
[題組:第24-26題]
在圖10中，若當光在水中傳遞10cm後，其強度至少仍有起始強度的0.37倍，則可能的波長範圍為何？即 \( \lambda_L \lt \lambda \lt \lambda_H \)，求 \( \lambda_L \)及\( \lambda_H \)。（須有說明或計算過程）（4分）
